IT之家9月22日消息 目前DDR4內(nèi)存似乎已經(jīng)快結(jié)束了自己的使命，于是DDR5內(nèi)存也就應(yīng)運(yùn)而生。作為坐擁2500多項(xiàng)專利的Rambus公司就在近日宣稱自己已經(jīng)成功生產(chǎn)DDR5內(nèi)存芯片，號(hào)稱起步頻率6400MHz。
DDR5的設(shè)計(jì)目標(biāo)是，I/O帶寬6.4Gbps，總帶寬51.2GB/s，頻率最高6400MHz，預(yù)取位數(shù)16bit，均比DDR4翻番。同時(shí)，DDR5的工作電壓進(jìn)一步降低，只有1.1V。
當(dāng)然目前的話DDR5內(nèi)存芯片只是紙面上稱生產(chǎn)出來(lái)，至于具體的產(chǎn)品需要到明年才能正式推出。目前無(wú)論是Intel還是AMD都沒(méi)有平臺(tái)支持DDR5內(nèi)存。
光下的我們很好','6738497','http://www.tfjyzx.com//Upload/IMAGES/21/1223/d0cd704c7fc14ed09be317748fa7ebcb.png','/Content/web/images/common/head_50x50.png', 'http://www.samsungmembers.cn//Upload/IMAGES/22/1031/254aae1e42394ea2a863ae16ae31d616.png');){kind=link}